• ббб

Кондензатор SMJ-TE со аксијален snubber усогласен со ROHS и REACH

Краток опис:

Snubber кондензатор
Опсегот на CRE на IGBT snubber кондензатори се усогласени со ROHS и REACH.

1. Карактеристики на отпорност на пламен

2. Пластично куќиште или куќиште со лента од Mylar

3. пополнет епоксиден крај

4. Согласете се со UL94

5. Прилагодено дизајниран на располагање


Детали за производот

Ознаки на производи

Серија SMJ-TE

Метализиран полипропиленски филмски кондензатор

Елементите на самозаздравувачки, сув тип, нечист кондензатор се произведуваат со помош на специјално профилиран метализиран ПП филм со брановиден пресек кој обезбедува ниска самоиндуктивност, висока отпорност на кинење и висока доверливост.Исклучувањето на прекумерен притисок не се смета за неопходно.Горниот дел на кондензаторот е запечатен со епоксидна епоксидна материја што самогаснува.Специјалниот дизајн обезбедува многу ниска самоиндуктивност.

IMG_0953.HEIC

Табела со спецификации

Аксијален кондензатор SMJ-TE
Напон Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Капацитет (uF) L (mm±1) Т (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22 32 9.5 17.5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40,5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41.5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46,5 1.2 2.8 30 180 1224 година 14.2
Напон Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Капацитет (uF) L (mm±1) Т (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15 32 10 17.5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 година 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4.8 30 800 1600 година 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 година 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3.5 34 480 1440 година 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 година 16.5
3.5 57 30,5 43 1.2 3.2 35 450 1575 година 17.2
4.7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 година 17.8
5.6 57 38,5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2
Напон Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Капацитет (uF) L (mm±1) Т (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 година 13.5
1.5 57 22.5 30,5 1.2 5 29 900 1350 година 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 година 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 година 14.5
2.2 57 27.5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 година 14.5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30,5 46 1.2 3.2 38 450 1485 година 17.8
4.7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 година 18.2
Напон Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Капацитет (uF) L (mm±1) Т (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17.5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40,5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 година 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 година 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 година 14.5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 година 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 година 17.6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 година 18.2
Напон Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Капацитет (uF) L (mm±1) Т (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 година 145 8
0,22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412,5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 година 14.5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 година 17.8
Напон Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Капацитет (uF) L (mm±1) Т (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 година 94 8.5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 година 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 година 202,5 13.8
0,22 44 29 41.5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

Видео


  • Претходно:
  • Следно:

  • Испратете ни ја вашата порака:

    Напишете ја вашата порака овде и испратете ни ја

    Испратете ни ја вашата порака: