Диелектрик со мала загуба на полипропиленски филм Snubber кондензатор за апликација IGBT

Краток опис:

Опсегот на CRE на IGBT snubber кондензатори се усогласени со ROHS и REACH.

1. Карактеристиките на отпорност на пламен се обезбедени со користење на пластично куќиште и епоксидна завршна плочка која е во согласност со UL94-VO.

2. Стиловите на терминалите и големини на куќишта може да се прилагодат.

Испратете ни е-пошта Преземете како PDF

Детали за производот

Ознаки на производи

Серија SMJ-P

Опсег на номинален напон: 1000 VDC до 2000 VDC
Опсег на капацитет: 0,1 uf до 3,0 uf
Чекор за монтирање: 22,5 mm до 48 mm
Конструкција: Внатрешна сериска врска со метализиран полипропилен диелектричен
Апликација: IGBT заштита, кола со резонантни резервоари

Елементите на самозаздравувачки, сув тип, отчукувачки кондензатор се произведуваат со помош на специјално профилиран метализиран ПП филм со брановиден пресек кој обезбедува ниска самоиндуктивност, висока отпорност на кинење и висока доверливост.Исклучувањето на прекумерен притисок не се смета за неопходно.Горниот дел на кондензаторот е запечатен со епоксидна епоксидна материја што самогаснува.Специјалниот дизајн обезбедува многу ниска самоиндуктивност.

Табела со спецификации

Напон	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Димензија (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24.5	27.5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33.5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225 година	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316 година	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380 година	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496 година	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600 година	33

Напон	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Димензија (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,47	42,5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42,5	33.5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800 година	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815 година	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750 година	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000 година	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974 година	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Напон	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,47	42,5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33.5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33.5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750 година	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800 година	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815 година	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750 година	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800 година	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974 година	32

Напон	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,33	42,5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33.5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800 година	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800 година	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200 година	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100 година	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980 година	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750 година	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800 година	32

Напон	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,22	42,5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33.5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33.5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600 година	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540 година	32

Напон	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200 година	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000 година	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800 година	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600 година	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28