Фабрика и добавувачи на аксијален кондензатор за одбивување SMJ-TE од Кина, усогласен со ROHS и REACH

Аксијален кондензатор за одбивување SMJ-TE, усогласен со ROHS и REACH

Аксијален кондензатор за одбивување, усогласен со ROHS и REACH. SMJ-TE. Препорачана слика.

Краток опис:

Кондензатор за пригушување
CRE серијата IGBT кондензатори за придушување се во согласност со ROHS и REACH стандардите.

1. Карактеристики на отпорност на пламен

2. Пластично куќиште или куќиште од милар лента

3. епоксидна смола исполнета со крај

4. Усогласено со UL94

5. Достапен е дизајн по нарачка

Испратете ни е-пошта Преземи како PDF

Детали за производот

Ознаки на производи

SMJ-TE серија

Метализиран полипропиленски филмски кондензатор за одбивување

Самолекувачките, сув тип, кондензаторски елементи за одвраќање се произведени со употреба на специјално профилирана, брановидно сечена метализирана ПП фолија, која обезбедува ниска самоиндуктивност, висока отпорност на кинење и висока сигурност. Исклучувањето од преголем притисок не се смета за потребно. Горниот дел од кондензаторот е запечатен со самогасива еколошка епоксидна смола. Специјалниот дизајн обезбедува многу ниска самоиндуктивност.

Табела со спецификации

SMJ-TE Аксијален кондензатор
Напон		Un630V.DC; Urms400Vac; САД 945V
Капацитет (uF)	L (мм ± 1)	Т (мм ± 1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Имрс @25℃ @100KHz (A)
0,22	32	9,5	17,5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6,5
0,47	32	14,5	22,5	1	11	21	220	103,4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122,4	9,5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1,5	37	13,5	21,5	1	7	27	150	225	9,5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2,5	37	18	26	1.2	5,5	25	120	300	10,5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10,8
3.3	37	21	29	1.2	4,5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12,8
4.7	57	28	40,5	1.2	3.8	32	200	940	13,8
5.6	57	31	33,5	1.2	3,5	32	185	1036	13,5
6,8	37	29	41,5	1.2	2,5	28	100	680	13,8
6,8	57	34	46,5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
Напон		Un 1000V.DC; Urms 500Vac; Us 1500V
Капацитет (uF)	L (мм ± 1)	Т (мм ± 1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Имрс @25℃ @100KHz (A)
0,15	32	10	17,5	0,8	20	20	1100	165	5,5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15,5	23	1	13	21	1000	330	8,7
0,47	32	18,5	26	1.2	10	23	1000	470	10,5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9,5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10,8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21,5	29,5	1.2	5.6	27	900	900	11
1,5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350 година	12
1,5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4.8	32	600	1200	12,8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320 година	13,8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13,5
2,5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3,5	34	480	1440 година	15,6
3.3	57	29,5	42	1.2	3.2	35	450	1485 година	16,5
3,5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575 година	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974 година	17,8
5.6	57	38,5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Напон		Un 1200V.DC; Urms 550Vac; Us 1800V
Капацитет (uF)	L (мм ± 1)	Т (мм ± 1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Имрс @25℃ @100KHz (A)
0,1	32	8,5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17,5	1	18	20	1200	180	7,5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17,5	30	1.2	10	23	1200	564	9,5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9,8
0,68	32	21,5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18,5	26,5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1,5	44	26,5	39	1.2	5	30	950	1425 година	13,5
1,5	57	22,5	30,5	1.2	5	29	900	1350 година	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26,5	34,5	1.2	4.8	30	750	1500	13,8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 година	14,5
2.2	57	27,5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540 година	14,5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485 година	17,8
4.7	57	38	53,5	1.2	3	38	420	1974 година	18.2
Напон		1700V.DC; Урсмс 600Vac; САД 2550V
Капацитет (uF)	L (мм ± 1)	Т (мм ± 1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Имрс @25℃ @100KHz (A)
0,1	32	9,5	17,5	0,8	18	25	1300	130	7,5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8,5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0,33	32	18,5	26,5	1	12	22	1200	396	9.9
0,33	44	13,5	21,5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33,5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19,5	27,5	1.2	6	33	850	850	10,8
1,5	44	28	40,5	1.2	4.8	25	800	1200	13,5
1,5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13,5
2	44	31,5	47	1.2	4,5	24	750	1500	14.2
2	57	27,5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12,8
2.2	44	33,5	49	1.2	4,5	34	700	1540 година	15,6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320 година	14,5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680 година	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650 година	17,6
4	57	37	52,5	1.2	3	28	450	1800 година	18.2
Напон		Un 2000V.DC; Urms 700Vac; Us 3000V
Капацитет (uF)	L (мм ± 1)	Т (мм ± 1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Имрс @25℃ @100KHz (A)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6.9
0,1	32	11,5	19,5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10,5	18,5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17,5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412,5	9,5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19,5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18,5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23,5	36	1.2	6	31	950	950	14,5
1,5	57	29,5	42	1.2	5	31	850	1275	14,5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16,5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540 година	17,8
Напон		3000V.DC; Урсмс 750Vac; САД 4500V
Капацитет (uF)	L (мм ± 1)	Т (мм ± 1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Имрс @25℃ @100KHz (A)
0,047	44	13,5	21,5	1	22	20	2000 година	94	8,5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800 година	122,4	10,5
0,1	44	20,5	28,5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350 година	202,5	13,8
0,22	44	29	41,5	1.2	14,5	22	1200	264	14,5