E-mail: info@cre-elec.com
English
  • ббб

Фабрички произведен кондензатор за одземање за Igbt - диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија Кондензатор за одземање за IGBT апликации – CRE

Фабрички произведен кондензатор за одбивување за Igbt - Диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија. Кондензатор за одбивување за IGBT апликации – CRE Препорачана слика
  • Фабрички произведен кондензатор за одземање за Igbt - диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија Кондензатор за одземање за IGBT апликации – CRE
  • Фабрички произведен кондензатор за одземање за Igbt - диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија Кондензатор за одземање за IGBT апликации – CRE
  • Фабрички произведен кондензатор за одземање за Igbt - диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија Кондензатор за одземање за IGBT апликации – CRE
  • Фабрички произведен кондензатор за одземање за Igbt - диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија Кондензатор за одземање за IGBT апликации – CRE

Краток опис:


Преземи како PDF

Детали за производот

Ознаки на производи

Поврзано видео

Повратни информации (2)

Наша цел е да откриеме квалитетно деформирање од производството и да им обезбедиме најдобра услуга на домашните и странските клиенти од срце.Решение за кондензатор со сув тип на филм , Филмска кондензаторска банка на наизменична струја , Кондензатор за напојување со индукциско греењеИскрено ги поздравуваме сите гости да основаат здруженија за мали бизниси со нас врз основа на взаемни позитивни аспекти. Треба да стапите во контакт со нас сега. Ќе добиете наш професионален одговор во рок од 8 часа.
Фабрички произведен кондензатор за одземање за Igbt - диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија. Кондензатор за одземање за IGBT апликации – CRE. Детали:

Серија SMJ-P

Номинален опсег на напон: 1000 VDC до 2000 VDC
Опсег на капацитет: 0,1 uf до 3,0 uf
Растојание за монтирање: 22,5 mm до 48 mm
Конструкција: Метализиран полипропилен диелектричен внатрешен сериски приклучок
Примена: IGBT заштита, кола во резонантен резервоар

Самолекувачките, сув тип, кондензаторски елементи за одвраќање се произведени со употреба на специјално профилирана, брановидно сечена метализирана ПП фолија, која обезбедува ниска самоиндуктивност, висока отпорност на кинење и висока сигурност. Исклучувањето од превисок притисок не се смета за потребно. Горниот дел од кондензаторот е запечатен со самогасива еколошка епоксидна смола. Специјалниот дизајн обезбедува многу ниска самоиндуктивност.

IMG_0397.HEIC

Табела со спецификации

Напон 700V.DC, 400Vac; Us1050V
Димензија (мм)
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ипк(А) Имрс @40℃ @100KHz (A)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1,5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2,5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5,5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3,5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3,5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 година 25
5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3,5 33 230 1380 година 28
6,8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 година 32
8 57,5 42,5 56 2.8 30 200 1600 33
Напон Не 1000V.DC, Урсмс500Vac; Ус1500V
Димензија (мм)
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) ИРМС
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1,5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2,5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800 година 25
3.3 57,5 35 50 3,5 28 550 1815 година 25
3,5 57,5 38 54 3,5 28 500 1750 година 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 година 28
4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 година 30
5.6 57,5 42,5 56 2.8 24 400 2240 32
Напон 1200V.DC, 550Vac; 1800V
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) ИРМС
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1,5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2,5 57,5 35 50 4 28 700 1750 година 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800 година 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 година 28
3,5 57,5 38 54 3,5 25 500 1750 година 28
4 57,5 42,5 56 3,5 25 450 1800 година 30
4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 година 32
Напон 1700V.DC, 575Vac; 2250V
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) ИРМС
0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1,5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 година 18
1,5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 година 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2,5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3.8 26 600 1980 година 28
3,5 57,5 42,5 56 3,5 25 500 1750 година 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 година 32
Напон 2000V.DC, 700Vac; Us3000V
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) ИРМС
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1,5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 година 32
Напон 3000V.DC, 750Vac; 4500V
Cn(μF) Л(±1) Т(±1) H(±1) ESR (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ипк(А) ИРМС
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000 година 330 20
0,33 57,5 35 50 12 24 1800 година 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28
Детални слики од производот:

Фабрички произведен кондензатор за одбивување за Igbt - Диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија. Кондензатор за одбивување за IGBT апликации – CRE детални слики

Фабрички произведен кондензатор за одбивување за Igbt - Диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија. Кондензатор за одбивување за IGBT апликации – CRE детални слики

Фабрички произведен кондензатор за одбивување за Igbt - Диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија. Кондензатор за одбивување за IGBT апликации – CRE детални слики

Фабрички произведен кондензатор за одбивување за Igbt - Диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија. Кондензатор за одбивување за IGBT апликации – CRE детални слики

Водич за поврзани производи:
Држејќи се до верувањето за „Создавање производи од врвен опсег и создавање пријатели со луѓе од целиот свет“, ние нормално го ставаме интересот на купувачите на прво место за фабрички произведен кондензатор за одбивување за Igbt - диелектрик со низок губиток од полипропиленска фолија за одбивување кондензатор за IGBT апликација – CRE. Производот ќе се снабдува низ целиот свет, како што се: Алжир, Ангила, Турција. Во текот на 11 години, учествувавме на повеќе од 20 изложби, добивајќи највисоки пофалби од секој клиент. Нашата компанија го посветува тоа „клиентот на прво место“ и е посветена на помагање на клиентите да го прошират својот бизнис, така што тие ќе станат Големиот Шеф!
    • Ние сме стари пријатели, квалитетот на производите на компанијата отсекогаш бил многу добар, а овој пат и цената е многу ниска. 5 ѕвезди Од Рита од Тунис - 2018.09.21 11:44
    Широк асортиман, добар квалитет, разумни цени и добра услуга, современа опрема, одлични таленти и континуирано зајакнати технолошки сили, добар деловен партнер. 5 ѕвезди Од Виктор Јанушкевич од Јапонија - 19.12.2017 11:10

    Испратете ни ја вашата порака:

    Напишете ја вашата порака овде и испратете ни ја

    Категории на производи

    Испратете ни ја вашата порака: