Фабрички произведен кондензатор за одземање за Igbt - диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија Кондензатор за одземање за IGBT апликации – CRE

Фабрички произведен кондензатор за одбивување за Igbt - Диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија. Кондензатор за одбивување за IGBT апликации – CRE Препорачана слика

Краток опис:

Детали за производот

Ознаки на производи

Поврзано видео

Повратни информации (2)

Иновацијата, одличноста и сигурноста се основните вредности на нашата компанија. Овие принципи денес многу повеќе од кога било ја формираат основата на нашиот успех како меѓународно активен среден бизнис заDc-Link кондензатор за автомобилска примена , Dc-Link кондензатори во енергетски конвертори , Високонапонски полипропиленски филмски кондензатор, Ние даваме приоритет на квалитетот и задоволството на клиентите и за ова следиме строги мерки за контрола на квалитетот. Имаме внатрешни капацитети за тестирање каде што нашите производи се тестираат од секој аспект во различни фази на преработка. Со користење на најнови технологии, им помагаме на нашите клиенти со прилагоден производствен капацитет.

Фабрички произведен кондензатор за одземање за Igbt - диелектрик со ниски загуби од полипропиленска фолија. Кондензатор за одземање за IGBT апликации – CRE. Детали:

Серија SMJ-P

Номинален опсег на напон: 1000 VDC до 2000 VDC
Опсег на капацитет: 0,1 uf до 3,0 uf
Растојание за монтирање: 22,5 mm до 48 mm
Конструкција: Метализиран полипропилен диелектричен внатрешен сериски приклучок
Примена: IGBT заштита, кола во резонантен резервоар

Самолекувачките, сув тип, кондензаторски елементи за одвраќање се произведени со употреба на специјално профилирана, брановидно сечена метализирана ПП фолија, која обезбедува ниска самоиндуктивност, висока отпорност на кинење и висока сигурност. Исклучувањето од превисок притисок не се смета за потребно. Горниот дел од кондензаторот е запечатен со самогасива еколошка епоксидна смола. Специјалниот дизајн обезбедува многу ниска самоиндуктивност.

IMG_0397.HEIC

Табела со спецификации

Напон	700V.DC, 400Vac; Us1050V
	Димензија (мм)
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ипк(А)	Имрс @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5,5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3,5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3,5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316 година	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3,5	33	230	1380 година	28
6,8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496 година	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33

Напон	Не 1000V.DC, Урсмс500Vac; Ус1500V
	Димензија (мм)
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800 година	25
3.3	57,5	35	50	3,5	28	550	1815 година	25
3,5	57,5	38	54	3,5	28	500	1750 година	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000 година	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974 година	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Напон	1200V.DC, 550Vac; 1800V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750 година	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800 година	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815 година	28
3,5	57,5	38	54	3,5	25	500	1750 година	28
4	57,5	42,5	56	3,5	25	450	1800 година	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974 година	32

Напон	1700V.DC, 575Vac; 2250V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800 година	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800 година	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980 година	28
3,5	57,5	42,5	56	3,5	25	500	1750 година	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800 година	32

Напон	2000V.DC, 700Vac; Us3000V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540 година	32

Напон	3000V.DC, 750Vac; 4500V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000 година	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800 година	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Детални слики од производот:

Водич за поврзани производи:

Како цели ги земаме „пријателски настроени кон клиентите, ориентирани кон квалитетот, интегративни, иновативни“. „Вистина и чесност“ е нашиот идеален менаџмент за фабричко производство на кондензатор за одбивување за Igbt - диелектрик со низок губиток од полипропиленска фолија. Кондензатор за одбивување за IGBT апликација – CRE. Производот ќе се снабдува низ целиот свет, како што се: Гана, Хаити, Бразилија. Нашите производи се широко признати и им се доверени од корисниците и можат да ги задоволат постојано менувачките економски и социјални потреби. Ги поздравуваме новите и старите клиенти од сите сфери на животот да не контактираат за идни деловни односи и заеднички успех!

Филмска кондензаторска банка на наизменична струја

Кондензатор за напојување со наизменична струја

Филмски кондензатор со компактен дизајн

Филмски кондензатор по нарачка