Филмски кондензатор со висока струја за машина за заварување (SMJ-TC)

Избрана слика со кондензатор за филм со висока струја за машина за заварување (SMJ-TC)

Краток опис:

Модел на кондензатор: SMJ-TC

Карактеристики:

1. Електроди од бакарни навртки

2. Мала физичка големина и лесна инсталација

3. Технологија на намотување на лентата Mylar

4. Полнење со сува смола

5. Ниска еквивалентна сериска индуктивност (ESL) и отпорност на еквивалентна серија (ESR)

Апликации:

1. GTO Snubber

2. Врвен напон и врвна апсорпција на струја и заштита за преклопна компонента во електронска опрема

Snubber кола се од суштинско значење за диодите што се користат во прекинувачките кола.Може да ја спаси диодата од скокови на пренапон, што може да настане за време на обратниот процес на обновување.

Испратете ни е-пошта Преземете како PDF

Детали за производот

Ознаки на производи

Технички податоци

Опсег на работна температура	Макс.Работна температура.,Горна,макс: + 85℃Температура на горната категорија: +85℃Температура во долна категорија: -40℃
опсег на капацитет	0,22-3μF
Номинален напон	3000V.DC~10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Издржи напон	1,35Un DC/10S
Фактор на дисипација	tgδ≤0,001 f=1KHz
Отпорност на изолација	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (на 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (на 20℃ 100V.DC 60S)
Издржи ударна струја	видете го листот со податоци
Очекуваниот животен век	100000h (не; Θжариште≤70°C)
Референтен стандард	IEC 61071;

Карактеристика

1. Миларна лента, запечатена со смола;

2. Оводи од бакарни навртки;

3. Отпорност на висок напон, низок tgδ, низок пораст на температурата;

4. низок ESL и ESR;

5. Високо пулсна струја.

Апликација

1. GTO Snubber.

2. Широко се користи во моќта електронска опрема кога врвен напон, врвна тековна апсорпција заштита.

Типично коло

Цртеж на контури

Спецификација

Un=3000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (мм)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (мм)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (мм)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260 година	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (мм)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Капацитет (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (мм)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс (А)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70