Кинески производител на Dc-Link кондензатор за напојување - метализиран филмски IGBT кондензатор за одземање – CRE

Краток опис:

Детали за производот

Ознаки на производи

Поврзано видео

Повратни информации (2)

Уживаме во исклучително одличен статус меѓу нашите клиенти поради нашиот врвен квалитет на производи, конкурентна цена и најдобра поддршка за...Цилиндричен алуминиумски филмски кондензатор , Сув тип на филтер за климатизација , Кондензатор за пренапон, Ви благодариме што одвоивте драгоцено време да нè посетите и се надеваме на убава соработка со вас.

Кинески производител на Dc-Link кондензатор за напојување - метализиран филмски IGBT кондензатор за одземање – CRE детали:

Технички податоци

Работен температурен опсег	Макс. Работна температура., Горна, макс.: +105℃ Температура од горна категорија: +85℃ Температура од долна категорија: -40℃
опсег на капацитет	0,1 μF ~ 5,6 μF
Номинален напон	700V.DC~3000V.DC
Кап.тол	±5% (J); ±10% (K)
Издржлив напон	1,5Un DC/10S
Фактор на дисипација	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Отпорност на изолација	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (на 20℃ 100V.DC 60S) C>0.33μF RS*C≥5000S (на 20℃ 100V.DC 60S)
Издржува струја на удар	具体见规格表
Забавување на пламенот	UL94V-0
Очекуван животен век	100000h (не; Θжариште≤85°C)
Референтен стандард	IEC61071;GB/T17702;

Напон			700V.DC, 400Vac; Us1050V
	Димензија (мм)
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ипк(А)	Имрс @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5,5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3,5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3,5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316 година	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3,5	33	230	1380 година	28
6,8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496 година	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33


Напон			Не 1000V.DC, Урсмс500Vac; Ус1500V
	Димензија (мм)
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800 година	25
3.3	57,5	35	50	3,5	28	550	1815 година	25
3,5	57,5	38	54	3,5	28	500	1750 година	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000 година	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974 година	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Напон			1200V.DC, 550Vac; 1800V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750 година	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800 година	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815 година	28
3,5	57,5	38	54	3,5	25	500	1750 година	28
4	57,5	42,5	56	3,5	25	450	1800 година	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974 година	32

Напон			1700V.DC, 575Vac; 2250V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800 година	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800 година	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980 година	28
3,5	57,5	42,5	56	3,5	25	500	1750 година	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800 година	32

Напон			2000V.DC, 700Vac; Us3000V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540 година	32

Напон			3000V.DC, 750Vac; 4500V
Cn(μF)	Л(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	ИРМС
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000 година	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800 година	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Функција

1. Пластика, запечатена со смола;

2. Калаени бакарни влошки, лесна инсталација за IGBT;

3. Отпорност на висок напон, низок tgδ, низок пораст на температурата;

4. низок ESL и ESR;

5. Висока импулсна струја.

Со користење на внатрешни конструкции со ниска индуктивност, опционални куќишта од лиена смола и прилагодени завршетоци, серијата SMJ-P е дизајнирана за брзо префрлување на IGBTS и може да служи како пригушувачи и филтри за влез со висока струја и висока фреквенција.

Детални слики од производот:

Водич за поврзани производи:

Исто така, специјализирани сме во подобрување на администрацијата на работите и системот за контрола на квалитетот за да обезбедиме огромна добивка во рамките на жестоко конкурентната компанија за кинески производител на Dc-Link кондензатори за напојување - метализиран филм IGBT Snubber кондензатор – CRE. Производот ќе се снабдува низ целиот свет, како што се: Сиетл, Велингтон, Литванија. Користејќи го искуството во изработката, научната администрација и напредната опрема, го осигуруваме квалитетот на производот, не само што ја освојуваме довербата на клиентите, туку и го градиме нашиот бренд. Денес, нашиот тим е посветен на иновации, просветлување и фузија со постојана пракса и извонредна мудрост и филозофија, се грижиме за побарувачката на пазарот за висококвалитетни производи, за да произведуваме професионални производи.

Аксијален филмски кондензатор за одземање

Кондензатор за Igbt