Најевтина цена Кондензатор за индукциско греење со мала загуба на енергија - Дизајн на кондензатори со ниски филм со висока врвна струја за апликации за енергетска електроника IGBT - CRE

Најевтина цена Кондензатор за индукциско греење со мала загуба на енергија - Дизајн на кондензатори за слабеење на филм со висока врвна струја за апликации за енергетска електроника IGBT - Избрана слика CRE

Краток опис:

Детали за производот

Ознаки на производи

Поврзано видео

Повратни информации (2)

Го нагласуваме напредокот и воведуваме нови производи и решенија на пазарот секоја година заРезонанца кондензатор прилагодено , Прилагодена банка со кондензатори , Електронски наизменичен кондензатор за напојување, Целосно ги поздравуваме клиентите од целиот свет да воспостават стабилни и заемно корисни деловни односи, да имаме светла иднина заедно.

Најевтина цена Кондензатор за индукциско греење со мала загуба на моќност - Дизајн на кондензатори за слабеење на филм со висока врвна струја за апликации за енергетска електроника IGBT - Детали за CRE:

Технички податоци

Опсег на работна температура	Макс.Работна температура.,Горна,макс: +105℃ Температура од горна категорија: +85℃ Температура од пониска категорија: -40℃
опсег на капацитет	0,1μF～5,6μF
Номинален напон	700V.DC~3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Издржи напон	1.5 Un DC/10S
Фактор на дисипација	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Отпорност на изолација	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (на 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (на 20℃ 100V.DC 60S)
Издржи ударна струја	видете го листот со податоци
Ретардација на пламен	UL94V-0
Очекуваниот животен век	100000h (не; Θжариште≤85°C)
Референтен стандард	IEC61071;GB/T17702;

Табела со спецификации

Напон	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Димензија (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24.5	27.5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33.5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140 година	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225 година	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316 година	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380 година	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496 година	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600 година	33
Напон	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Димензија (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,47	42,5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42,5	33.5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800 година	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815 година	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750 година	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000 година	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974 година	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32
Напон	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,47	42,5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33.5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33.5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750 година	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800 година	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815 година	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750 година	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800 година	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974 година	32
Напон	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,33	42,5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33.5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800 година	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800 година	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200 година	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100 година	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980 година	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750 година	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800 година	32
Напон	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,22	42,5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33.5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33.5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600 година	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540 година	32
Напон	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Ирмс
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200 година	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000 година	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800 година	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600 година	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Детални слики на производот:

Водич за сродни производи:

Уживаме во исклучително добар статус меѓу нашите перспективи за нашата одлична стока со врвен квалитет, конкурентна цена и идеална услуга за најевтина цена Кондензатор за загревање со индукција со мала загуба на енергија - Кондензатори со висок врв на струја дизајн за апликации за моќна електроника IGBT – CRE , Производот ќе снабдување до целиот свет, како што се: Обединетите Арапски Емирати, Бурунди, Акра, Нашата компанија секогаш се концентрира на развојот на меѓународниот пазар.Имаме многу клиенти во Русија, европските земји, САД, земјите од Блискиот Исток и земјите од Африка.Ние секогаш следиме дека квалитетот е основа, додека услугата е гаранција за исполнување на сите клиенти.

Прилагодена банка со кондензатори

Кондензатор за складирање на енергија

Филмски кондензатор за инвертер за напојување

Терминален кондензатор со четири пина

Хармоничен резонантен кондензатор

Igbt Snubber

Метализиран Pp филм кондензатор

Кондензатор за корекција на факторот на моќност

Професионално решение за кондензатор

Кондензатор за соларна енергија

Се надеваме дека компанијата може да се држи до духот на претпријатието за „Квалитет, ефикасност, иновација и интегритет“, ќе биде се подобро и подобро во иднина.